Hersteller Produktnummer:
TK4R4P06PL,RQ
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK4R4P06PL,RQ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 58A (Tc) 87W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
885 Stück Neu Original Auf Lager
12890822
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
TK4R4P06PL,RQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSIX-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.4mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
48.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3280 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
87W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
TK4R4P06
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
TK4R4P06PLRQ(S2
TK4R4P06PLRQ
TK4R4P06PL,RQTR
TK4R4P06PLRQCT
TK4R4P06PLRQDKR
TK4R4P06PL,RQ(S2
TK4R4P06PLRQTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
NP90N055VUK-E1-AY
HERSTELLER
Renesas Electronics Corporation
VERFÜGBARE ANZAHL
4797
TEILNUMMER
NP90N055VUK-E1-AY-DG
Einheitspreis
0.80
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
TK55D10J1(Q)
MOSFET N-CH 100V 55A TO220
SSM3K2615TU,LF
MOSFET N-CH 60V 2A UFM
TK11P65W,RQ
MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK
