Hersteller Produktnummer:
TK6A50D(STA4,Q,M)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK6A50D(STA4,Q,M)-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 6A TO220SIS
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 6A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
50 Stück Neu Original Auf Lager
12890853
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
TK6A50D(STA4,Q,M) Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tube
Reihe
π-MOSVII
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
540 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
35W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220SIS
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
TK6A50
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
TK6A50D(STA4QM)
TK6A50DSTA4QM
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
TK31V60W,LVQ
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
SSM3J129TU(TE85L)
MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
TK560P60Y,RQ
MOSFET N-CHANNEL 600V 7A DPAK
