Hersteller Produktnummer:
TK3A65D(STA4,Q,M)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK3A65D(STA4,Q,M)-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 3A TO220SIS
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 3A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
47 Stück Neu Original Auf Lager
12890339
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TK3A65D(STA4,Q,M) Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tube
Reihe
π-MOSVII
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.25Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
540 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
35W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220SIS
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
TK3A65
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
TK3A65D(STA4QM)
TK3A65DSTA4QM
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFIBC30GPBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
1568
TEILNUMMER
IRFIBC30GPBF-DG
Einheitspreis
1.22
ERSATZART
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