TK380P65Y,RQ
Hersteller Produktnummer:

TK380P65Y,RQ

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

TK380P65Y,RQ-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 9.7A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount DPAK

Inventar:

2188 Stück Neu Original Auf Lager
12890253
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

TK380P65Y,RQ Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
DTMOSV
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 360µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
590 pF @ 300 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
80W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
TK380P65

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,000
Andere Namen
TK380P65YRQDKR
TK380P65YRQTR
TK380P65YRQ(S
TK380P65YRQCT
TK380P65Y,RQ(S

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6K204FE,LF

MOSFET N-CH 20V 2A ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

TPN7R506NH,L1Q

MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON

toshiba-semiconductor-and-storage

TPCA8018-H(TE12LQM

MOSFET N-CH 30V 30A 8SOP

toshiba-semiconductor-and-storage

TK16V60W,LVQ

MOSFET N-CH 600V 15.8A 4DFN