Hersteller Produktnummer:
TPN7R506NH,L1Q
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TPN7R506NH,L1Q-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 26A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventar:
4880 Stück Neu Original Auf Lager
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TPN7R506NH,L1Q Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSVIII-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1800 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
700mW (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
TPN7R506
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
TPN7R506NHL1QCT
TPN7R506NHL1QTR
TPN7R506NHL1QDKR
TPN7R506NH,L1Q(M
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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