Hersteller Produktnummer:
TK35N65W5,S1F
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK35N65W5,S1F-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 35A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-247
Inventar:
26 Stück Neu Original Auf Lager
12890503
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TK35N65W5,S1F Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tube
Reihe
DTMOSIV
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
35A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 2.1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4100 pF @ 300 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
270W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
TK35N65
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
TK35N65W5S1F
TK35N65W5,S1F(S
TK35N65W5,S1F-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXFX64N60P3
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
1060
TEILNUMMER
IXFX64N60P3-DG
Einheitspreis
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