Hersteller Produktnummer:
SPW55N80C3FKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
SPW55N80C3FKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 54.9A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 54.9A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventar:
450 Stück Neu Original Auf Lager
12807852
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SPW55N80C3FKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolMOS™ C3
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
54.9A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 32.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 3.3mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
288 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7520 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
SPW55N80
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
SP000849356
SPW55N80C3FKSA1-DG
448-SPW55N80C3FKSA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SPD03N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
SPB08P06PGATMA1
MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
SPP100N03S203
MOSFET N-CH 30V 100A TO220-3
