TK34A10N1,S4X
Hersteller Produktnummer:

TK34A10N1,S4X

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

TK34A10N1,S4X-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 34A TO220SIS
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 34A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS

Inventar:

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TK34A10N1,S4X Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tube
Reihe
U-MOSVIII-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2600 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
35W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220SIS
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
TK34A10

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
TK34A10N1

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
TK34A10N1S4X
TK34A10N1,S4X-DG
TK34A10N1,S4X(S

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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