Hersteller Produktnummer:
DMJ70H1D3SH3
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMJ70H1D3SH3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 700 V 4.6A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251 (Type TH3)
Inventar:
12949687
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DMJ70H1D3SH3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
700 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
351 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
41W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-251 (Type TH3)
Paket / Koffer
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Basis-Produktnummer
DMJ70
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
DMJ70H1D3SH3-DG
DMJ70H1D3SH3DI
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPS70R1K4P7SAKMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IPS70R1K4P7SAKMA1-DG
Einheitspreis
0.18
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IPS80R600P7AKMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IPS80R600P7AKMA1-DG
Einheitspreis
0.69
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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