Hersteller Produktnummer:
2SJ681(Q)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SJ681(Q)-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD2
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 5A (Ta) 20W (Ta) Through Hole PW-MOLD2
Inventar:
12889660
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Menge
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2SJ681(Q) Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
700 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
20W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PW-MOLD2
Paket / Koffer
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Basis-Produktnummer
2SJ681
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
200
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)-DG
Einheitspreis
0.43
ERSATZART
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