Hersteller Produktnummer:
TK17V65W,LQ
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK17V65W,LQ-DG
Beschreibung:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 17.3A (Ta) 156W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Inventar:
14 Stück Neu Original Auf Lager
12920880
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TK17V65W,LQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
17.3A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
210mOhm @ 8.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 900µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1800 pF @ 300 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
156W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
4-DFN-EP (8x8)
Paket / Koffer
4-VSFN Exposed Pad
Basis-Produktnummer
TK17V65
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
264-TK17V65WLQDKR
264-TK17V65WLQTR
TK17V65W,LQ(S
264-TK17V65WLQCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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