Hersteller Produktnummer:
TK20J60W,S1VE
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK20J60W,S1VE-DG
Beschreibung:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 20A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Inventar:
21 Stück Neu Original Auf Lager
12920884
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TK20J60W,S1VE Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
155mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.7V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1680 pF @ 300 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
165W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3P(N)
Paket / Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Basis-Produktnummer
TK20J60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
25
Andere Namen
264-TK20J60WS1VE
TK20J60W,S1VE(S
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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