Hersteller Produktnummer:
TK12J60U(F)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK12J60U(F)-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 12A TO3P
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 12A (Ta) 144W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Inventar:
12891024
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TK12J60U(F) Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
DTMOSII
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
720 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
144W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3P(N)
Paket / Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Basis-Produktnummer
TK12J60
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
TK12J60UF
TK12J60U(F)-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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