Hersteller Produktnummer:
TK14C65W5,S1Q
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK14C65W5,S1Q-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventar:
12891027
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Menge
Mindestens 1
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J9c9
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TK14C65W5,S1Q Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
DTMOSIV
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13.7A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 6.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 690µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1300 pF @ 300 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
130W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I2PAK
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
TK14C65
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
TK14C65W5,S1Q-DG
TK14C65W5,S1Q(S2
TK14C65W5,S1Q(S
TK14C65W5S1Q
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STI21N65M5
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
STI21N65M5-DG
Einheitspreis
1.92
ERSATZART
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