Hersteller Produktnummer:
TK090Z65Z,S1F
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK090Z65Z,S1F-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 30A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-247-4L(T)
Inventar:
25 Stück Neu Original Auf Lager
12976036
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TK090Z65Z,S1F Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tube
Reihe
DTMOSVI
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1.27mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2780 pF @ 300 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
230W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-4L(T)
Paket / Koffer
TO-247-4
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
25
Andere Namen
264-TK090Z65Z,S1F-DG
Q13998932
264-TK090Z65Z,S1F
264-TK090Z65ZS1F
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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