SQJ140ELP-T1_GE3
Hersteller Produktnummer:

SQJ140ELP-T1_GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SQJ140ELP-T1_GE3-DG

Beschreibung:

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 253A (Tc) 255W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventar:

12976041
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

SQJ140ELP-T1_GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET® Gen IV
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
253A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.14mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4665 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
255W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SQJ140ELP-T1_GE3TR
742-SQJ140ELP-T1_GE3CT
742-SQJ140ELP-T1_GE3DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
vishay-siliconix

SI4151DY-T1-GE3

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8

vishay-siliconix

SIR1309DP-T1-GE3

P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE

vishay-siliconix

SIDR500EP-T1-RE3

N-CHANNEL 30 V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SQA411CEJW-T1_GE3

AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60 V (D-S)