Hersteller Produktnummer:
SSM6N815R,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM6N815R,LF-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 100V 2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F
Inventar:
1051 Stück Neu Original Auf Lager
12889329
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SSM6N815R,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSVIII-H
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate, 4V Drive
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
103mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
3.1nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
290pF @ 15V
Leistung - Max
1.8W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-SMD, Flat Leads
Gerätepaket für Lieferanten
6-TSOP-F
Basis-Produktnummer
SSM6N815
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SSM6N815RLFTR
SSM6N815RLFCT
SSM6N815R,LF(B
SSM6N815R,LF(T
SSM6N815RLF
SSM6N815RLF(B
SSM6N815RLFDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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