Hersteller Produktnummer:
SSM6N35AFE,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM6N35AFE,LF-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 0.25A ES6
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 250mA (Ta) 250mW Surface Mount ES6
Inventar:
87942 Stück Neu Original Auf Lager
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SSM6N35AFE,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
250mA (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.34nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
36pF @ 10V
Leistung - Max
250mW
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
ES6
Basis-Produktnummer
SSM6N35
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
SSM6N35AFE,LF(B
SSM6N35AFELF(B
SSM6N35AFELF
SSM6N35AFELF-DG
SSM6N35AFELFTR
SSM6N35AFELFCT
SSM6N35AFE,LF(T
SSM6N35AFELFDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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