Hersteller Produktnummer:
SSM6N7002BFE,LM
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM6N7002BFE,LM-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 60V 200mA 150mW Surface Mount ES6
Inventar:
41588 Stück Neu Original Auf Lager
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SSM6N7002BFE,LM Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
200mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.1Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
17pF @ 25V
Leistung - Max
150mW
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
ES6
Basis-Produktnummer
SSM6N7002
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
SSM6N7002BFE,LM(B
SSM6N7002BFE,LM(T
SSM6N7002BFELMDKR
SSM6N7002BFELMTR
SSM6N7002BFELMCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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