Hersteller Produktnummer:
SSM6J511NU,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM6J511NU,LF-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 12V 14A 6UDFNB
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 12 V 14A (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Inventar:
56638 Stück Neu Original Auf Lager
12949587
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SSM6J511NU,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSVII
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
14A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9.1mOhm @ 4A, 8V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 4.5 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3350 pF @ 6 V
FET-Funktion
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-UDFNB (2x2)
Paket / Koffer
6-WDFN Exposed Pad
Basis-Produktnummer
SSM6J511
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SSM6J511NULFDKR
SSM6J511NU,LF(T
SSM6J511NU,LF(B
SSM6J511NULFTR
SSM6J511NULFCT
SSM6J511NULF
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
DMN10H220L-13
MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
DMN3008SFGQ-13
MOSFET N-CH 30V PWRDI3333
TSM10N80CZ C0G
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
