Hersteller Produktnummer:
DMN62D0SFD-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN62D0SFD-7-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 540MA 3DFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 540mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3
Inventar:
19612 Stück Neu Original Auf Lager
12949608
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
DMN62D0SFD-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
540mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.87 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
30.2 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
430mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
X1-DFN1212-3
Paket / Koffer
3-UDFN
Basis-Produktnummer
DMN62
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DMN62D0SFD-7DICT
DMN62D0SFD-7DITR
DMN62D0SFD-7DIDKR
DMN62D0SFD7
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
ZVNL110ASTOA
MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE
BSS84TC
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
DMP3056LVT-13
MOSFET P-CH 30V 4.3A TSOT-26
