Hersteller Produktnummer:
SSM6J505NU,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM6J505NU,LF-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 12 V 12A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Inventar:
14700 Stück Neu Original Auf Lager
12889227
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SSM6J505NU,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSVI
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.2V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
37.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±6V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2700 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.25W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-UDFNB (2x2)
Paket / Koffer
6-WDFN Exposed Pad
Basis-Produktnummer
SSM6J505
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SSM6J505NU,LF(T
SSM6J505NU,LF(B
SSM6J505NULFDKR
SSM6J505NULF
SSM6J505NULFCT
SSM6J505NULFTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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