Hersteller Produktnummer:
SSM6J212FE,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM6J212FE,LF-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Inventar:
12889356
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Menge
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SSM6J212FE,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSVI
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
40.7mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
970 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
ES6
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Basis-Produktnummer
SSM6J212
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
SSM6J212FELFCT
SSM6J212FE(TE85LFTR-DG
SSM6J212FE(TE85LFTR
SSM6J212FELFDKRINACTIVE
SSM6J212FE(TE85LFDKR-DG
SSM6J212FE(TE85LFCT-DG
SSM6J212FE,LF(CA
SSM6J212FETE85LF
SSM6J212FE(TE85LFCT
SSM6J212FELFCTINACTIVE
SSM6J212FE(TE85L,F
SSM6J212FELFTR
SSM6J212FELFDKR
SSM6J212FELF
SSM6J212FELFTRINACTIVE
SSM6J212FE(TE85LFDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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