Hersteller Produktnummer:
SSM6H19NU,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM6H19NU,LF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-UDFN (2x2)
Inventar:
54777 Stück Neu Original Auf Lager
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SSM6H19NU,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSVII-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 8V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
185mOhm @ 1A, 8V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2.2 nC @ 4.2 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
130 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-UDFN (2x2)
Paket / Koffer
6-UDFN Exposed Pad
Basis-Produktnummer
SSM6H19
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SSM6H19NU,LF(T
SSM6H19NULFTR
SSM6H19NULFDKR
SSM6H19NU,LF(B
SSM6H19NULFCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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