Hersteller Produktnummer:
SSM3K35MFV(TPL3)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM3K35MFV(TPL3)-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 180mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Inventar:
12889305
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SSM3K35MFV(TPL3) Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
π-MOSVI
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
180mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.2V, 4V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 50mA, 4V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9.5 pF @ 3 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
VESM
Paket / Koffer
SOT-723
Basis-Produktnummer
SSM3K35
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8,000
Andere Namen
SSM3K35MFV(TPL3)DKR
SSM3K35MFV(TPL3)TR
SSM3K35MFV (TPL3)
SSM3K35MFV(TPL3)CT
SSM3K35MFVTPL3
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RUM001L02T2CL
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
784778
TEILNUMMER
RUM001L02T2CL-DG
Einheitspreis
0.04
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0.02
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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