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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
RUM001L02T2CL
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RUM001L02T2CL-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
Inventar:
784778 Stück Neu Original Auf Lager
13525823
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RUM001L02T2CL Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.2V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 100µA
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7.1 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
VMT3
Paket / Koffer
SOT-723
Basis-Produktnummer
RUM001
Datenblatt & Dokumente
Leitfaden zur Teilenummerierung
P/N Explanation for Transistors
Zuverlässigkeit Dokumente
VMT3 MOS Reliability Test
Design-Ressourcen
VMT3M Inner Structure
Datenblätter
RUM001L02T2CL
Product Catalog Transistors
VMT3 T2L Taping Spec
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8,000
Andere Namen
RUM001L02T2CLTR
RUM001L02T2CLDKR
RUM001L02T2CLCT
RUM001L02T2CL-ND
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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