Hersteller Produktnummer:
SSM3K309T(TE85L,F)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM3K309T(TE85L,F)-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 4.7A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSM
Inventar:
12889523
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SSM3K309T(TE85L,F) Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.7A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
31mOhm @ 4A, 4V
vgs(th) (max.) @ id
-
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1020 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
700mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TSM
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
SSM3K309
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SSM3K309T(TE85LF)CT
SSM3K309T(TE85LF)TR
SSM3K309T(TE85LF)DKR
SSM3K309TTE85LF
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TSM2312CX RFG
HERSTELLER
Taiwan Semiconductor Corporation
VERFÜGBARE ANZAHL
157966
TEILNUMMER
TSM2312CX RFG-DG
Einheitspreis
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