Hersteller Produktnummer:
SSM6J401TU,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM6J401TU,LF-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 2.5A UF6
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 2.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UF6
Inventar:
2641 Stück Neu Original Auf Lager
12889525
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SSM6J401TU,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
73mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.6V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
730 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
UF6
Paket / Koffer
6-SMD, Flat Leads
Basis-Produktnummer
SSM6J401
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
264-SSM6J401TU,LFDKR
SSM6J401TULFDKR-DG
SSM6J401TU,LF(B
SSM6J401TULFCT
SSM6J401TULFTR-DG
SSM6J401TULFCT-DG
SSM6J401TULFDKR
264-SSM6J401TU,LFTR
SSM6J401TULFTR
264-SSM6J401TU,LFCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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