Hersteller Produktnummer:
SSM3J66MFV,L3F
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM3J66MFV,L3F-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Inventar:
6318 Stück Neu Original Auf Lager
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SSM3J66MFV,L3F Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSVI
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
800mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.2V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
390mOhm @ 800mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
+6V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
100 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
VESM
Paket / Koffer
SOT-723
Basis-Produktnummer
SSM3J66
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8,000
Andere Namen
264-SSM3J66MFV,L3FCT
SSM3J66MFVL3FDKR-DG
SSM3J66MFVL3FTR-DG
SSM3J66MFVL3FDKR
SSM3J66MFVL3FCT-DG
264-SSM3J66MFV,L3FDKR
SSM3J66MFV,L3F(B
SSM3J66MFVL3FTR
264-SSM3J66MFV,L3FTR
SSM3J66MFVL3FCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SSM3J66MFV,L3XHF
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
14411
TEILNUMMER
SSM3J66MFV,L3XHF-DG
Einheitspreis
0.04
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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