Hersteller Produktnummer:
SSM3J66MFV,L3XHF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM3J66MFV,L3XHF-DG
Beschreibung:
AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Inventar:
14411 Stück Neu Original Auf Lager
12996440
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SSM3J66MFV,L3XHF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSVI
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
800mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.2V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
390mOhm @ 800mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
+6V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
100 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
VESM
Paket / Koffer
SOT-723
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8,000
Andere Namen
264-SSM3J66MFV,L3XHFDKR
264-SSM3J66MFVL3XHFTR
264-SSM3J66MFVL3XHFDKR
264-SSM3J66MFV,L3XHFCT
264-SSM3J66MFV,L3XHFDKR-DG
264-SSM3J66MFV,L3XHFTR-DG
264-SSM3J66MFVL3XHFCT
264-SSM3J66MFV,L3XHFTR
264-SSM3J66MFV,L3XHFCT-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SI2102A-TP
N-CHANNEL MOSFET
PSMN018-100ESFQ
NEXPERIA PSMN018 - NEXTPOWER 100
R8009KNXC7G
HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
