Hersteller Produktnummer:
SSM3J35AMFV,L3F
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM3J35AMFV,L3F-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 250MA VESM
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 250mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Inventar:
48370 Stück Neu Original Auf Lager
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SSM3J35AMFV,L3F Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSVII
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
250mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.2V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 100µA
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
42 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
VESM
Paket / Koffer
SOT-723
Basis-Produktnummer
SSM3J35
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8,000
Andere Namen
SSM3J35AMFVL3FDKR
SSM3J35AMFVL3F
SSM3J35AMFVL3F(B
SSM3J35AMFV,L3F(B
SSM3J35AMFVL3FTR
SSM3J35AMFV,L3F(T
SSM3J35AMFVL3FCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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