Hersteller Produktnummer:
SSM3J352F,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM3J352F,LF-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 2A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount S-Mini
Inventar:
5843 Stück Neu Original Auf Lager
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SSM3J352F,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSVI
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
210 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.2W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
S-Mini
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
SSM3J352
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SSM3J352FLFDKR
SSM3J352F,LF(B
SSM3J352FLF(B
SSM3J352FLFCT
SSM3J352FLF
SSM3J352FLFTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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