Hersteller Produktnummer:
2SK1119(F)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SK1119(F)-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1000 V 4A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12891508
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2SK1119(F) Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.8Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
700 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
2SK1119
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFBG30PBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
4495
TEILNUMMER
IRFBG30PBF-DG
Einheitspreis
1.02
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