Hersteller Produktnummer:
SSM3J168F,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM3J168F,LF-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 400mA (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventar:
13467 Stück Neu Original Auf Lager
12889347
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SSM3J168F,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSVI
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
400mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
82 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.2W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
SSM3J168
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SSM3J168FLFTR
SSM3J168FLF
SSM3J168FLF(B
SSM3J168FLF-DG
SSM3J168FLFCT
SSM3J168F,LF(B
SSM3J168FLFDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
2SK3844(Q)
MOSFET N-CH 60V 45A TO220NIS
TK8A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
SSM6J212FE,LF
MOSFET P-CH 20V 4A ES6
