Hersteller Produktnummer:
SSM3J14TTE85LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM3J14TTE85LF-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 2.7A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSM
Inventar:
12889136
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SSM3J14TTE85LF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
U-MOSII
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 1.35A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
-
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
413 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
700mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TSM
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
SSM3J14
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SSM3J14T (TE85L,F)
SSM3J14T(TE85L,F)
SSM3J14TTE85LFCT
SSM3J14TTE85LFDKR
SSM3J14TTE85LFTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
BSS308PEH6327XTSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
623
TEILNUMMER
BSS308PEH6327XTSA1-DG
Einheitspreis
0.09
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