SSM5G10TU(TE85L,F)
Hersteller Produktnummer:

SSM5G10TU(TE85L,F)

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

SSM5G10TU(TE85L,F)-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFV

Inventar:

40 Stück Neu Original Auf Lager
12889139
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

SSM5G10TU(TE85L,F) Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Cut Tape (CT)
Reihe
U-MOSIII
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
213mOhm @ 1A, 4V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.4 nC @ 4 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
250 pF @ 10 V
FET-Funktion
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
UFV
Paket / Koffer
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Basis-Produktnummer
SSM5G10

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SSM5G10TU(TE85LF)CT
SSM5G10TU(TE85LF)DKR
SSM5G10TUTE85LF
SSM5G10TU(TE85LF)TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
toshiba-semiconductor-and-storage

TK10P60W,RVQ

MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K37MFV,L3F

MOSFET N-CH 20V 250MA VESM

toshiba-semiconductor-and-storage

TK290A60Y,S4X

MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS

toshiba-semiconductor-and-storage

TK290P60Y,RQ

MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK