Hersteller Produktnummer:
SSM3J112TU,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM3J112TU,LF-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 1.1A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount UFM
Inventar:
748 Stück Neu Original Auf Lager
12889990
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SSM3J112TU,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
390mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.8V @ 100µA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
86 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
800mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
UFM
Paket / Koffer
3-SMD, Flat Leads
Basis-Produktnummer
SSM3J112
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
264-SSM3J112TU,LFCT
SSM3J112TULF-DG
264-SSM3J112TU,LFTR
SSM3J112TULF
264-SSM3J112TU,LFDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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