Hersteller Produktnummer:
2SK2916(F)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SK2916(F)-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 14A TO3PIS
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 14A (Ta) 80W (Tc) Through Hole TO-3P(N)IS
Inventar:
12889998
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2SK2916(F) Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
14A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2600 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
80W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3P(N)IS
Paket / Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Basis-Produktnummer
2SK2916
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXTQ16N50P
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
13
TEILNUMMER
IXTQ16N50P-DG
Einheitspreis
2.38
ERSATZART
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