Hersteller Produktnummer:
RN46A1(TE85L,F)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
RN46A1(TE85L,F)-DG
Beschreibung:
PNP + NPN BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz, 250MHz 300mW Surface Mount SM6
Inventar:
13275888
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RN46A1(TE85L,F) Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
22kOhms, 10kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
22kOhms, 10kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V / 50 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
200MHz, 250MHz
Leistung - Max
300mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-74, SOT-457
Gerätepaket für Lieferanten
SM6
Basis-Produktnummer
RN46A1
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
264-RN46A1(TE85LF)DKR
264-RN46A1(TE85LF)TR
264-RN46A1(TE85LF)CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
RN4606(TE85L,F)
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
3939
TEILNUMMER
RN4606(TE85L,F)-DG
Einheitspreis
0.04
ERSATZART
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