Hersteller Produktnummer:
RN1710JE(TE85L,F)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
RN1710JE(TE85L,F)-DG
Beschreibung:
NPN X 2 BRT Q1BSR=4.7KOHM Q1BER=
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV
Inventar:
3863 Stück Neu Original Auf Lager
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RN1710JE(TE85L,F) Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
4.7kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
250MHz
Leistung - Max
100mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-553
Gerätepaket für Lieferanten
ESV
Basis-Produktnummer
RN1710
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
264-RN1710JE(TE85LF)DKR
264-RN1710JE(TE85LF)CT
264-RN1710JE(TE85LF)TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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