Hersteller Produktnummer:
RN2413,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
RN2413,LF-DG
Beschreibung:
PB-F S-MINI PLN (LF) TRANSISTOR
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini
Inventar:
13240544
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EINREICHEN
RN2413,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
200 MHz
Leistung - Max
200 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
S-Mini
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
264-RN2413,LFTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
DIGI-Zertifizierung
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