Hersteller Produktnummer:
PDTC123YT-QVL
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PDTC123YT-QVL-DG
Beschreibung:
PDTC123YT-Q/SOT23/TO-236AB
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventar:
13266636
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
PDTC123YT-QVL Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
2.2 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
35 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA
Leistung - Max
250 mW
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
1727-PDTC123YT-QVLTR
934665909235
9.34666E+11
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
DTC143ZUAHE3-TP
BIPOLAR TRANSISTORS
DTA144EM-TP
BIPOLAR TRANSISTORS
DTA123EE-TP
BIPOLAR TRANSISTORS