Hersteller Produktnummer:
RN2402S,LF(D
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
RN2402S,LF(D-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini
Inventar:
12889584
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Menge
Mindestens 1
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SmY6
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RN2402S,LF(D Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
200 MHz
Leistung - Max
200 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
S-Mini
Basis-Produktnummer
RN2402
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RN2402SLF(D
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
MUN2111T1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
11729
TEILNUMMER
MUN2111T1G-DG
Einheitspreis
0.02
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Direct
DIGI-Zertifizierung
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