PDTA114ET,235
Hersteller Produktnummer:

PDTA114ET,235

Product Overview

Hersteller:

NXP USA Inc.

Teilenummer:

PDTA114ET,235-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Surface Mount SOT-23

Inventar:

154808 Stück Neu Original Auf Lager
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PDTA114ET,235 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA
Leistung - Max
250 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23
Basis-Produktnummer
PDTA114

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
PDTA114ET,215 Datasheet

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1
Andere Namen
2156-PDTA114ET,235
NEXNXPPDTA114ET,235

Umwelt- und Exportklassifizierung

ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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