DTA114GUAT106
Hersteller Produktnummer:

DTA114GUAT106

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

DTA114GUAT106-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount UMT3

Inventar:

1127 Stück Neu Original Auf Lager
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DTA114GUAT106 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
200 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-70, SOT-323
Gerätepaket für Lieferanten
UMT3
Basis-Produktnummer
DTA114

Datenblatt & Dokumente

Zuverlässigkeit Dokumente
UMT3 DTRTG Reliability Test
Design-Ressourcen
UMT3 Inner Structure
Datenblätter
DTA114GUA UMT3 T106 Taping Spec

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DTA114GUAT106TR
DTA114GUAT106DKR
DTA114GUAT106CT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Alternative Modelle

Teilenummer
RN2311(TE85L,F)
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
2610
TEILNUMMER
RN2311(TE85L,F)-DG
Einheitspreis
0.05
ERSATZART
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Teilenummer
PDTA143TU,115
HERSTELLER
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VERFÜGBARE ANZAHL
2450
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Einheitspreis
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cr
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