Hersteller Produktnummer:
RN2109ACT(TPL3)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
RN2109ACT(TPL3)-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3
Inventar:
9900 Stück Neu Original Auf Lager
12889310
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
RN2109ACT(TPL3) Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Cut Tape (CT)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
80 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
47 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
22 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Leistung - Max
100 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-101, SOT-883
Gerätepaket für Lieferanten
CST3
Basis-Produktnummer
RN2109
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
RN2109ACT(TPL3)TR
RN2109ACT(TPL3)CT
RN2109ACT(TPL3)DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
MUN5137T1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
MUN5137T1G-DG
Einheitspreis
0.01
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
RN1131MFV(TL3,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN1110(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
RN1112ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3