RN1131MFV(TL3,T)
Hersteller Produktnummer:

RN1131MFV(TL3,T)

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

RN1131MFV(TL3,T)-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM

Inventar:

3000 Stück Neu Original Auf Lager
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RN1131MFV(TL3,T) Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Cut Tape (CT)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
100 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Leistung - Max
150 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-723
Gerätepaket für Lieferanten
VESM
Basis-Produktnummer
RN1131

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
8,000
Andere Namen
RN1131MFVTL3T
RN1131MFV(TL3T)DKR
RN1131MFV(TL3T)CT
RN1131MFV(TL3T)TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
DTC115TM3T5G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
DTC115TM3T5G-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
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