RN1441ATE85LF
Hersteller Produktnummer:

RN1441ATE85LF

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

RN1441ATE85LF-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 20V 0.3A SMINI
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20 V 300 mA 30 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini

Inventar:

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12890575
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RN1441ATE85LF Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
300 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
20 V
Widerstand - Basis (R1)
5.6 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 4mA, 2V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
100mV @ 3mA, 30mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
30 MHz
Leistung - Max
200 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
S-Mini
Basis-Produktnummer
RN1441

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
RN1441-1444

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RN1441-A(TE85L,F)
RN1441ATE85LFDKR
RN1441ATE85LFCT
RN1441ATE85LFTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
DTC623TKT146
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
7724
TEILNUMMER
DTC623TKT146-DG
Einheitspreis
0.06
ERSATZART
Similar
Teilenummer
DTC614TKT146
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
4000
TEILNUMMER
DTC614TKT146-DG
Einheitspreis
0.07
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DTC643TKT146-DG
Einheitspreis
0.08
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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