RN1314(TE85L,F)
Hersteller Produktnummer:

RN1314(TE85L,F)

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

RN1314(TE85L,F)-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SC-70

Inventar:

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RN1314(TE85L,F) Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
1 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
100 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-70, SOT-323
Gerätepaket für Lieferanten
SC-70
Basis-Produktnummer
RN1314

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
RN1314-18

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RN1314(TE85LF)DKR
RN1314TE85LF
RN1314(TE85LF)
RN1314(TE85LF)CT
RN1314(TE85LF)TR
RN1314(TE85LF)-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Alternative Modelle

Teilenummer
DTC113ZUAT106
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
10147
TEILNUMMER
DTC113ZUAT106-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
Direct
Teilenummer
DTD113ZUT106
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
6838
TEILNUMMER
DTD113ZUT106-DG
Einheitspreis
0.12
ERSATZART
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DDTC113ZUA-7-F-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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