Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
RN1102T5LFT
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
RN1102T5LFT-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12889518
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
RN1102T5LFT Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
100 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-75, SOT-416
Gerätepaket für Lieferanten
SSM
Basis-Produktnummer
RN1102
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RN1102T5LFTTR
RN1102(T5L,F,T)
RN1102T5LFTCT
RN1102T5LFT-DG
RN1102T5LFTDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
DTD543EETL
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
1331
TEILNUMMER
DTD543EETL-DG
Einheitspreis
0.07
ERSATZART
Similar
Teilenummer
SDTC114YET1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
69425
TEILNUMMER
SDTC114YET1G-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
Similar
Teilenummer
DTC114YETL
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
18551
TEILNUMMER
DTC114YETL-DG
Einheitspreis
0.04
ERSATZART
Similar
Teilenummer
DTC143EETL
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
65126
TEILNUMMER
DTC143EETL-DG
Einheitspreis
0.04
ERSATZART
Similar
Teilenummer
DTC143ZE-TP
HERSTELLER
Micro Commercial Co
VERFÜGBARE ANZAHL
5203
TEILNUMMER
DTC143ZE-TP-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
RN1132MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN1304,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
RN1106ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
RN1303,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70